產(chǎn)品[
ZH411型高頻光電導少子壽命測試儀(基本型)τ:10～6000μs ρ＞3Ω?cm
]資料
產(chǎn)品名稱:
ZH411型高頻光電導少子壽命測試儀(基本型)τ:10～6000μs ρ＞3Ω?cm
產(chǎn)品型號:
ZH411
產(chǎn)品展商:
國產(chǎn)
產(chǎn)品文檔:
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簡單介紹
ZH411型高頻光電導少子壽命測試儀(基本型)τ:10～6000μs ρ＞3Ω?cm配用示波器：頻帶寬度不低于40MHz，Y軸增益及掃描速度均應連續(xù)可調(diào)。
ZH411型高頻光電導少子壽命測試儀(基本型)τ:10～6000μs ρ＞3Ω?cm
的詳細介紹
| ZH411型高頻光電導少子壽命測試儀(基本型)τ:10～6000μs ρ＞3Ω•cm | | 1、 用途
用于硅、鍺單晶的少數(shù)載流子壽命測量，除需要有一個測量平面外，對樣塊體形*嚴格要求，可測塊狀和片狀單晶壽命。壽命測量可靈敏地反映單晶體內(nèi)重金屬雜質(zhì)污染及缺陷存在的情況，是單晶的重要檢測項目。
2、 設備組成
2.1、光脈沖發(fā)生裝置
重復頻率＞25次/s 脈寬＞60μｓ 光脈沖關斷時間＜0.2-1μｓ
紅外光源波長：1.06～1.09μm（測量硅單晶） 脈沖電流：5A～20A
如測量鍺單晶壽命需配置適當波長的光源
2.2、高頻源
頻率：30MHz 低輸出阻抗 輸出功率＞1W
2.3、放大器和檢波器
頻率響應：2Hz～2MHz
2.4、配用示波器
配用示波器：頻帶寬度不低于40MHz，Y軸增益及掃描速度均應連續(xù)可調(diào)。
3、測量范圍
ZH411型高頻光電導少子壽命測試儀(基本型)τ:10～6000μs ρ＞3Ω•cm可測硅單晶的電阻率范圍：ρ≥3Ω·㎝（歐姆·厘米）,壽命值的測量范圍：5～6000μｓ
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上一條：智能煙氣采樣儀 | 下一條：高頻光電導少子壽命測試儀/高頻光電壽命測試儀 LT-1C τ:5～6000μs ρ＞0.1Ω•cm |
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